[发明专利]一种低击穿电压放电管及其制作方法在审
| 申请号： | 201910278191.0 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110010602A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 张超;朱明 | 申请（专利权）人： | 捷捷半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/07 | 分类号： | H01L27/07 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低击穿电压放电管及其制造方法，该放电管由集成于一个芯片的二极管、三极管、可控硅组成，三极管的BVCEO实现器件的低击穿电压，并由三极管击穿后产生的电流为可控硅提供门极驱动电流。本发明使得放电管具有更低的（3.3‑5.7V）的击穿电压，从而能应用在低压电路，并且较TVS器件具有更高的浪涌能力，更低的漏电，更低的电容。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿电压 放电管 三极管 可控硅 二极管 漏电 低压电路 驱动电流 电容 击穿 浪涌 门极 芯片 制作 应用 制造 | ||
【主权项】：
1.一种低击穿电压放电管，其特征在于：该放电管由集成于一个芯片的二极管、三极管、可控硅组成，三极管的BVCEO实现器件的低击穿电压，并由三极管击穿后产生的电流为可控硅提供门极驱动电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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