[发明专利]基于电磁激励单晶硅谐振梁的热电变换器结构及制造方法有效
| 申请号： | 201910279116.6 | 申请日： | 2019-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN109987570B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 韩建强;赵正前;周凯 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;B81C1/00;G01K7/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于电磁激励单晶硅谐振梁的热电变换器结构及其制造方法。热电变换器由键合在一起的谐振梁芯片(1)和上盖板(2)组成。加热电阻(4)制作在上盖板(2)的绝热薄膜(5)上。谐振梁(3)的主体材料是单晶硅，采用电磁激励和电磁检测模式，其上制作有激励导线(6)和拾振导线(7)，制作在具有良好绝热性能的硼硅玻璃片(9)之上。采用永磁体给谐振梁(3)提供一个平行于芯片表面并与谐振梁(3)垂直的磁场。当加热电阻(4)通入直流电压(或电流)时谐振梁(3)的谐振频率变化量与通入交流电压(或电流)时谐振梁(3)的谐振频率变化量相等时，直流电压(或电流)就是交流电压(或电流)的有效值。本发明所涉及的热电变换器具有以下优点：谐振梁(3)品质因数高、残余应力小。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 电磁 激励 单晶硅 谐振 热电 变换器 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.基于电磁激励单晶硅谐振梁的热电变换器，其特征在于：热电变换器由键合在一起的谐振梁芯片(1)和上盖板(2)组成，加热电阻(4)制作在上盖板(2)的绝热薄膜(5)上，谐振梁(3)的主体材料是单晶硅，制作在具有良好绝热性能的硼硅玻璃片(9)之上，谐振梁(3)上制作有激励导线(6)和拾振导线(7)，采用永磁体给谐振梁(3)提供一个平行于芯片表面并与谐振梁(3)垂直的磁场。
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