[发明专利]一种高精度中子无损检测装置在审

专利信息
申请号: 201910279849.X 申请日: 2019-04-09
公开(公告)号: CN109884093A 公开(公告)日: 2019-06-14
发明(设计)人: 钱铁威 申请(专利权)人: 北京中百源国际科技创新研究有限公司
主分类号: G01N23/05 分类号: G01N23/05
代理公司: 北京汇捷知识产权代理事务所(普通合伙) 11531 代理人: 李宏伟
地址: 101149 北京市通州区运河核心*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种高精度中子无损检测装置,包括中子发射源、底座、屏蔽盖、中子成像探测器,底座上侧面为样品放置区,底座中间设有安装中子发射源的腔体,所述的腔体贯穿底座的上侧设置,所述的屏蔽盖设在底座上侧,屏蔽盖可在上下方向进行位置的调节,所述的中子成像探测器设置在屏蔽盖的上侧;所述的屏蔽盖为上小下大的锥形管体结构,还包括屏蔽管,所述的屏蔽管竖直设置在屏蔽盖内,屏蔽管的上端与屏蔽盖的上端开口处连接,屏蔽管为可上下伸缩设置,所述的屏蔽盖的内侧壁上设有反射调节板,反射调节板的下端与屏蔽盖铰接连接,屏蔽盖上设有螺纹孔,所述的螺纹孔上连接有调节螺杆,所述的调节螺杆与反射调节板的上端连接。
搜索关键词: 屏蔽盖 底座 屏蔽管 反射调节板 无损检测装置 调节螺杆 中子成像 中子发射 上端 螺纹孔 探测器 腔体 样品放置区 铰接连接 上端开口 上下方向 上下伸缩 上小下大 竖直设置 锥形管体 内侧壁 上侧面 下端 贯穿
【主权项】:
1.一种高精度中子无损检测装置,其特征在于:包括中子发射源、底座、屏蔽盖、中子成像探测器,底座上侧面为样品放置区,底座中间设有安装中子发射源的腔体,所述的腔体贯穿底座的上侧设置,所述的屏蔽盖设在底座上侧,屏蔽盖可在上下方向进行位置的调节,所述的中子成像探测器设置在屏蔽盖的上侧;所述的屏蔽盖为上小下大的锥形管体结构,还包括屏蔽管,所述的屏蔽管竖直设置在屏蔽盖内,屏蔽管的上端与屏蔽盖的上端开口处连接,屏蔽管为可上下伸缩设置,所述的屏蔽盖的内侧壁上设有反射调节板,反射调节板的下端与屏蔽盖铰接连接,屏蔽盖上设有螺纹孔,所述的螺纹孔上连接有调节螺杆,所述的调节螺杆与反射调节板的上端连接;所述的中子成像探测器包括包括中子检测用闪烁体、和检测从该中子检测用闪烁体发出的光并将其转换为电信号的光检测器,光检测器具有多个光纤和多个光检测元件,多个光纤对应闪烁体的入射表面的多个位置设置,多个光检测元件对应于多个光纤设置,中子测量装置与光检测元件连接,中子测量装置用于记录光检测元件的发光次数,中子检测用闪烁体设置在屏蔽盖的上端开口处。
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