[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910280107.9 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110416068A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;张庆裕;林进祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/033 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置的形成方法包含在基底之上旋转涂布第一无金属层；在第一无金属层之上沉积含金属层；在含金属层之上旋转涂布第二无金属层；在第二无金属层之上形成光刻胶层，光刻胶层包含第一金属元素；将光刻胶层曝光；以及接着显影光刻胶层以形成一个图案。含金属层包含选自锆、锡、镧、或锰的第二金属元素，及选自锆、锡、铯、钡、镧、铟、银、或铈的第一金属元素。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 金属层 含金属层 金属元素 半导体装置 旋转涂布 基底 显影 沉积 图案 曝光 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：提供一基底；在该基底之上形成一第一层，其中该第一层实质上不包括任何金属元素；在该第一层之上形成一第二层，其中该第二层包括一第一金属元素；在该第二层之上形成一第三层，其中该第三层实质上不包括任何金属元素；在该第三层之上形成一光刻胶层，其中该光刻胶层包括一第二金属元素；通过一射线源曝光该光刻胶层；以及显影该光刻胶层以形成一光刻胶图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
