[发明专利]一种脉冲激光沉积技术制备高硬度难熔高熵合金薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种脉冲激光沉积技术制备高硬度难熔高熵合金薄膜的方法，包括步骤：将难熔高熵合金靶材通过进样室传进沉积室；将Si基体清洗并不留下去离子水渍；将夹持Si片基体的试样盘传至沉积室内，抽进样室和沉积室真空至10Pa以下；分子泵抽沉积室真空；抽至目标真空度打开基底加热电源，设定并加至目标温度；调整靶基距；关闭真空计，设置Ar流量，通Ar气；打开真空计，设置控制柜电离电源参数使靶材起辉；打开激光器和激光挡板，设置激光参数，调整激光光路并预溅射；开始沉积；沉积得到的难熔高熵合金薄膜的纳米压入硬度高达14.0～16.0GPa。本发明采用的是脉冲激光沉积的方法来制备难熔高熵合计薄膜，得到了表面光滑致密的难熔高熵合金薄膜。

主权项

1.一种脉冲激光沉积技术制备高硬度难熔高熵合金薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将高熵合金靶材通过进样室传进沉积室；2)将Si片基体分别在丙酮、酒精和去离子水中进行超声清洗并吹干，去除其表面的污染物，且使表面不留下去离子水渍；3)将夹持Si片基体的试样盘传至沉积室内并抽真空至10Pa以下；4)关闭进样室和沉积室之间的闸板阀，抽沉积室真空至目标真空度；5)打开基底加热电源，待样品盘加热至目标温度；6)调整靶基距；7)设置Ar流量，同时拧开Ar气瓶旋钮，开始通Ar气；8)调节沉积室闸板阀，调整工作气压，设置控制柜电离电源的电流和电压值，使靶材起辉；9)设置激光能量、频率和次数，预溅射10～15分钟后，开始沉积；10)沉积结束后，关闭靶和样品盘自转，关闭基底加温，关闭激光器，待样品在沉积室内冷却至100℃以下再转移至传样室，冷却至室温后取出样品。