[发明专利]像素结构及其制作方法和显示面板在审
申请号: | 201910280423.6 | 申请日: | 2019-04-09 |
公开(公告)号: | CN109856879A | 公开(公告)日: | 2019-06-07 |
发明(设计)人: | 刘忠念 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343 |
代理公司: | 深圳精智联合知识产权代理有限公司 44393 | 代理人: | 邓铁华 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种像素结构及其制作方法以及显示面板。所述像素结构包括:基底、设置在基底上的钝化层、设置在基底和钝化层之间的薄膜晶体管的漏极、以及设置在钝化层的远离基底的一侧的像素电极。其中,像素电极为连续不间断的面状电极。像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部。第一凹陷部贯穿钝化层并与薄膜晶体管的漏极相接触以形成电连接。多个第二凹陷部和多个第三凹陷部位于第一凹陷部的一侧或者分别位于第一凹陷部的相对两侧;第一凹陷部的深度大于第二凹陷部的深度和第三凹陷部的深度,且第二凹陷部的深度与第三凹陷部的深度不同。 | ||
搜索关键词: | 凹陷部 钝化层 基底 像素结构 薄膜晶体管 显示面板 像素电极 漏极 凹陷部位 面状电极 相对两侧 电连接 像素 制作 贯穿 申请 | ||
【主权项】:
1.一种像素结构,其特征在于,包括:基底;钝化层,设置在所述基底上;薄膜晶体管的漏极,设置在所述基底和所述钝化层之间;以及像素电极,设置在所述钝化层的远离所述基底的一侧,且所述像素电极为连续不间断的面状电极;其中,所述像素电极包括第一凹陷部、多个第二凹陷部和多个第三凹陷部,所述第一凹陷部贯穿所述钝化层并与所述薄膜晶体管的所述漏极相接触以形成电连接,所述多个第二凹陷部和所述多个第三凹陷部位于所述第一凹陷部的一侧或分别位于所述第一凹陷部的相对两侧;所述第一凹陷部具有第一深度,所述多个第二凹陷部具有相同的第二深度,所述多个第三凹陷部具有相同的第三深度,所述第一深度大于所述第二深度和所述第三深度,且所述第二深度与所述第三深度不同。
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