[发明专利]一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法

摘要

本发明属于光电子器件领域，并具体公开了一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件及其制备方法。该方法包括在基底上制备金属层，然后在金属层上制备绝缘层；制备连续硫化钼薄膜，并将连续硫化钼薄膜转移至绝缘层的表面；制备金属纳米方体，并在金属纳米方体的表面制备SiO₂层；将含有SiO₂层的金属纳米方体涂覆在连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。本发明将金属纳米方体制备于连续硫化钼薄膜的表面，使金属纳米方体与金属层相互配合，能够增强局域电磁场的强度并显著提高硫化钼薄膜的光吸收率，同时通过控制金属纳米方体的尺寸、制备材料和分布密度等参数，能够提高局域电磁场强度和光吸收率。

主权项

1.一种金属纳米方体增强硫化钼光探测器件的制备方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：(a)在基底上制备金属层，然后在所述金属层上制备绝缘层；(b)制备连续硫化钼薄膜，并将所述连续硫化钼薄膜转移至所述绝缘层的表面；(c)制备金属纳米方体，并在所述金属纳米方体的表面制备SiO₂层；(d)将所述含有SiO₂层的金属纳米方体涂覆在所述连续硫化钼薄膜的表面，最后进行封装得到所述金属纳米方体增强硫化钼光探测器件。