[发明专利]一种异吲哚衍生物、其用途及包含其的OLED器件有效
申请号: | 201910280960.0 | 申请日: | 2019-04-09 |
公开(公告)号: | CN111793072B | 公开(公告)日: | 2021-11-02 |
发明(设计)人: | 黄雪明;李丹丹 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电股份有限公司 |
主分类号: | C07D487/14 | 分类号: | C07D487/14;H01L51/54 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 巩克栋 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种异吲哚衍生物、其用途及包含其的OLED器件。所述异吲哚衍生物是具有式I结构的化合物。所述OLED器件包括:阳极、阴极和设置在所述阳极和所述阴极之间的有机薄膜层,所述有机薄膜层中至少含有发光层、空穴注入层和空穴传输层;所述空穴注入层包含主体材料和掺杂材料,所述掺杂材料选自上述异吲哚衍生物中的一种或至少两种的组合。本发明提供的异吲哚衍生物为电子受体,可用于OLED器件空穴注入层的掺杂,具有降低OLED器件的开启电压,提高其寿命和发光效率的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 吲哚 衍生物 用途 包含 oled 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电股份有限公司,未经上海和辉光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910280960.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:地震全层位追踪方法及装置
- 下一篇:安全管控方法及系统、电子设备及存储介质