[发明专利]半导体工艺的方法及半导体器件有效
| 申请号： | 201910280979.5 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110660857B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 高琬贻;柯忠祁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 桑敏 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体工艺的方法及半导体器件。公开了形成作为氧化阻挡层的含氮层的方法，该方法包括：在晶片上形成硅层；以及形成与所述硅层接触的氧化物层。在形成所述氧化物层之后，在所述硅层与所述氧化物层之间形成与所述硅层和所述氧化物层接触的氮化硅层。然后去除所述硅层的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 工艺 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺的方法，包括：/n在晶片上形成硅层；/n形成与所述硅层接触的氧化物层；/n在形成所述氧化物层之后，在所述硅层与所述氧化物层之间形成与所述硅层和所述氧化物层接触的氮化硅层；以及/n去除所述硅层的一部分。/n
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