[发明专利]半导体工艺所用的方法在审
| 申请号： | 201910281681.6 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110600370A | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 林宗达;侯承浩;张哲豪;于雄飞 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种半导体工艺所用的方法。此处所述的实施例关于形成装置的栅极结构的方法，比如置换栅极工艺与其形成的装置。在一实施例中，方法包括顺应性地形成栅极介电层于自基板延伸的鳍状物上，且栅极介电层沿着鳍状物上的栅极间隔物的侧壁；在采用含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的掺质气体的沉积工艺时，顺应性地沉积虚置层于栅极介电层上，且沉积的虚置层包括氟、氘、或上述的组合的掺质；进行热工艺，以自虚置层驱动掺质至栅极介电层中；移除虚置层；以及形成一或多个含金属层于栅极介电层上。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极介电层 掺质 沉积 鳍状物 半导体工艺 含硅前驱物 栅极间隔物 含金属层 形成装置 栅极工艺 栅极结构 热工艺 侧壁 含氟 基板 移除 置换 驱动 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体工艺所用的方法，包括：/n顺应性地形成一栅极介电层于自一基板延伸的一鳍状物上，且该栅极介电层沿着该鳍状物上的多个栅极间隔物的多个侧壁；/n在采用一含硅前驱物与含氟、氘、或上述的组合的一掺质气体的一沉积工艺时，顺应性地沉积一虚置层于该栅极介电层上，且沉积的该虚置层包括氟、氘、或上述的组合的一掺质；/n进行一热工艺，以自该虚置层驱动该掺质至该栅极介电层中；/n移除该虚置层；以及/n形成一或多个含金属层于该栅极介电层上。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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