[发明专利]集成电路装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910281684.X | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110783256A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴旭升 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李琛;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 此处公开改善集成电路装置效能所用的源极/漏极接点间隔物与其形成方法。该方法包括蚀刻层间介电层以形成源极/漏极接点开口，其露出源极/漏极结构上的接点蚀刻停止层。沉积源极/漏极接点间隔物层，以部分地填入源极/漏极接点开口并覆盖层间介电层与露出的接点蚀刻停止层。蚀刻源极/漏极接点间隔物层与接点蚀刻停止层，延伸源极/漏极接点开口以露出源极/漏极结构。蚀刻步骤形成源极/漏极接点间隔物。方法包含形成源极/漏极接点至延伸的源极/漏极接点开口中露出的源极/漏极结构。源极/漏极接点形成于源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的源极/漏极接点开口。在形成源极/漏极接点之前，可形成硅化物结构于露出的源极/漏极结构上。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 接点间隔 开口 蚀刻停止层 蚀刻 介电层 填入 延伸 集成电路装置 硅化物结构 间隔物层 漏极接点 沉积源 覆盖层 蚀刻层 物层 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路装置的形成方法，包括：/n蚀刻一层间介电层，以形成一源极/漏极接点开口，其露出一源极/漏极结构上的一接点蚀刻停止层；/n沉积一源极/漏极接点间隔物层，其部分地填入该源极/漏极接点开口，并覆盖该层间介电层与露出的该接点蚀刻停止层；/n蚀刻该源极/漏极接点间隔物层与该接点蚀刻停止层，延伸该源极/漏极接点开口以露出该源极/漏极结构，其中蚀刻该源极/漏极接点间隔物层与该接点蚀刻停止层的步骤形成一源极/漏极接点间隔物；以及/n形成一源极/漏极接点至延伸的该源极/漏极接点开口中露出的该源极/漏极结构，其中该源极/漏极接点形成于该源极/漏极接点间隔物上，并填入延伸的该源极/漏极接点开口。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
