[发明专利]非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器及其制备方法，所述探测器包括非极性自支撑GaN衬底、n型GaN层、n型Alx1Ga1‑x1N渐变层、本征Alx2Ga1‑x2N层、p型Aly1Ga1‑y1N/Aly2Ga1‑y2N超晶格层、p型GaN盖层，并自下而上依次排布；非极性自支撑GaN衬底的背面连接n型欧姆电极；p型GaN盖层的上表面连接p型欧姆电极。该探测器解决了极化电场较大、外延层与衬底之间晶格失配、p型掺杂困难、内部电场不均匀的问题，且简化了紫外光电探测器芯片制备工艺。

主权项

1.非极性自支撑GaN基pin紫外光电探测器，其特征在于包括非极性自支撑GaN衬底（101）、n型GaN层（102）、n型Al_x1Ga_1‑x1N渐变层（103）、本征Al_x2Ga_1‑x2N层（104）、p型Al_y1Ga_1‑y1N/Al_y2Ga_1‑y2N超晶格层（105）、p型GaN盖层（106）、n型欧姆电极（107）和p型欧姆电极（108）；所述n型GaN层（102）、n型Al_x1Ga_1‑x1N渐变层（103）、本征Al_x2Ga_1‑x2N层（104）、p型Al_y1Ga_1‑y1N/Al_y2Ga_1‑y2N超晶格层（105）和p型GaN盖层（106）在非极性自支撑GaN衬底（101）的正面按照自下而上的顺序依次排布；非极性自支撑GaN衬底（101）的背面连接n型欧姆电极（107）；p型GaN盖层（106）的上表面连接p型欧姆电极（108）。