[发明专利]用以防止短路事件的半导体功率模块在审
| 申请号： | 201910282491.6 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110364512A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 金志奂;H·宋;杨贵坚;O·兹施埃斯昌 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明题为“用以防止短路事件的半导体功率模块”。根据一方面，本发明公开了一种半导体功率模块，所述半导体功率模块包括衬底，耦接到所述衬底的半导体器件，耦接到所述半导体器件的接合丝，以及设置在所述衬底上的第一模制材料层。所述第一模制材料层包封所述接合丝的第一部分。所述接合丝具有设置在所述第一模制材料层外部的第二部分。所述半导体功率模块包括设置在所述第一模制材料层上的第二模制材料层。所述第二模制材料层包封所述接合丝的所述第二部分。所述第二模制材料层的硬度小于所述第二模制材料层的硬度。 | ||
| 搜索关键词： | 材料层 半导体功率模块 接合 第二模 第一模 衬底 半导体器件 短路事件 包封 外部 | ||
【主权项】：
1.一种半导体功率模块，包括：衬底；半导体器件，所述半导体器件耦接到所述衬底；接合丝，所述接合丝耦接到所述半导体器件；第一模制材料层，所述第一模制材料层设置在所述衬底上，所述第一模制材料层包封所述接合丝的第一部分，所述接合丝具有设置在所述第一模制材料层外部的第二部分；以及第二模制材料层，所述第二模制材料层设置在所述第一模制材料层上，所述第二模制材料层包封所述接合丝的所述第二部分，所述第二模制材料层的硬度小于所述第一模制材料层的硬度，所述接合丝的所述第二部分被配置为响应于短路条件而熔断。
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