[发明专利]一种负电压跟随电路有效
| 申请号： | 201910282508.8 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110134171B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 冯国友;陈涛;吴昊 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张妍 |
| 地址： | 200000 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种负电压跟随电路，NMOS管N0、N1、N2和电阻R0。N0的源极对应输出电压VNN，N0的漏极对应VNN的跟随电压Vo。本发明用NMOS管N2代替与N0漏极相连的传统电流源，并增加NMOS管N1和电阻R0连接N2的栅极，在N2的栅极生成N2的门极控制电压，使N2生成具有自我调节能力的上拉电流，保证输出电压Vo在电压VNN下降过程中，Vo跟随VNN下降，且Vo的电压值稳定在特定值，不会向下过冲。本发明的电路简单，且对整体电路不增加功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 跟随 电路 | ||
【主权项】：
1.一种负电压跟随电路，其特征在于，包含：NMOS管N0、N1、N2，电阻R0；N1管为N0的镜像管，N0管和N1管的源极均与电压VNN对应，所述VNN电压初始值为0V，电路工作时下降到负电压；N0管的栅极及漏极、N1管的栅极均连接N2管的源极，且与输出电压Vo对应，Vo跟随VNN；N1管的漏极连接N2管的栅极和电阻第一端；N2管的漏极连接地线GND；电阻第二端连接电源电压VDD。
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