[发明专利]磷酸盐的半导体掺杂运用在审
| 申请号： | 201910282566.0 | 申请日： | 2019-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN110034012A | 公开（公告）日： | 2019-07-19 |
| 发明（设计）人： | 吴步凌 | 申请（专利权）人： | 吴步凌 |
| 主分类号： | H01L21/228 | 分类号： | H01L21/228;H01L21/324 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200331 上海市普陀区桃*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于晶体硅磷掺杂技术.因高浓度掺磷乳胶源受环境影响大，易胶凝化，存放期短.三氯氧磷是剧毒品，生产，操作，运输极不便.本发明是用磷的含氧酸和醇胺反应生成盐，溶于溶剂中，作磷掺杂源.本发明生产和使用操作简单，低成本，存放期长，扩散浓度高。主要用于半导体磷扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 存放期 磷掺杂 乳胶 半导体掺杂 环境影响 三氯氧磷 磷酸盐 低成本 含氧酸 胶凝化 晶体硅 剧毒品 磷扩散 溶剂 掺磷 醇胺 半导体 扩散 生产 运输 | ||
【主权项】：
1.由磷的含氧酸和醇胺组成的盐，溶于溶剂，可用作半导体的磷掺杂源。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
