[发明专利]一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法

摘要

本发明提供一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source区域，位于元胞区内的GATE区域和Source区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；释放终端区钝化层的膜内应力及可动离子，大大减小钝化层对终端区的影响，解决了因可动离子及应力问题导致的器件失效，大大提升器件的功能及可靠性。

主权项

1.一种解决钝化层对功率器件可靠性影响的方法，功率器件表面包括元胞区和终端区，所述元胞区又分为GATE区域和Source 区域，位于元胞区内的GATE区域和Source 区域刻开区域,其余元胞区和终端区全部覆盖钝化层，在生产过程中，杂质离子进入元胞区和终端区，引起电子的积累，半导体或绝缘材料中的电子、可动离子等在电场的作用下定向分布而在内部形成一定的内电场从而改变材料的本征特性，尤其在高温环境下，不同材料层次之间的膨胀系数会导致器件高温工作时层次件应力过大，其特征在于，所述终端区除钝化层Gate区域和source区域刻开一小块用于封装后引线外，同时在终端区打开一个或多个较小的刻开区，每个刻开区1um~20um 宽，总刻开区的面积小于终端区面积的一半；另外在终端区顺次淀积氧化层和氮化硅形成钝化层；在所述终端区表面生长氧化层，所述介质层淀积在所述氧化层上，所述介质层包括引线孔，所属金属层是淀积在介质层上，形成Gate区域引线端口和Source区域引线端口，所述钝化层淀积在所述金属层及介质层上；并在所述钝化层上形成后续封装引线的焊接窗口。