[发明专利]获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法及其应用有效
申请号: | 201910283015.6 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN109860403B | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 黄跃龙;田柳文;章文峰;于华 | 申请(专利权)人: | 西南石油大学 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/00;H01L51/42 |
代理公司: | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙) 61223 | 代理人: | 俞晓明 |
地址: | 610500 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明属于光电器件技术领域,公开了一种获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法及其应用。钙钛矿薄膜的后期处理工艺采用混合溶剂蒸汽辅助的梯度退火工艺,具体过程为:首先,进行稍低温度的热退火;然后,进行混合溶剂蒸汽辅助热退火;最后,进行稍高温度的热退火。进而制备得到大晶粒高质量钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备工艺简单,成本低,重复性好,实用性强,适合大面积薄膜以及大规模批量化处理。 | ||
搜索关键词: | 获得 晶粒 质量 钙钛矿 薄膜 后期 处理 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种获得大晶粒高质量钙钛矿薄膜的后期处理方法,所述钙钛矿薄膜是在加入反溶剂的条件下,将钙钛矿薄膜的前驱体溶液以旋涂的方式沉积到电子传输层基片上形成薄膜后再经后期处理得到的,其特征在于,所述钙钛矿薄膜的后处理方法采用混合溶剂蒸汽辅助的梯度退火工艺,具体过程为:首先,进行低温热退火;然后,进行混合溶剂蒸汽辅助热退火;最后,进行高温热退火,制备得到大晶粒高质量钙钛矿薄膜。
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