[发明专利]一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池有效
| 申请号： | 201910283992.6 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110164581B | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张锦文;吴蒙 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G21H1/02 | 分类号： | G21H1/02 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，属于微型核电池领域。该电池从下至上依次是放射性贝塔同位素源、半导体薄膜、掺杂区、欧姆接触重掺杂区、绝缘钝化层、平面电极；PN结是由半导体薄膜与掺杂区构成；平面电极包含正负电极，与欧姆接触重掺杂区采用点接触方式实现电学导通。本发明的半导体薄膜的厚度与放射性贝塔同位素源的最大输入深度匹配，减小了电池体积，放射性贝塔同位素源制备于背面，避免了重掺杂层对辐射能的损耗，提高了电池的功率密度以及转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 平面 电极 半导体 薄膜 pn 结贝塔 辐射 伏特 电池 | ||
【主权项】：
1.一种平面电极半导体薄膜PN结贝塔辐射伏特电池，其特征在于：包括同位素源和半导体薄膜PN结换能器，半导体薄膜PN结换能器包括位于同位素源上面的半导体薄膜、位于半导体薄膜上面的绝缘钝化层、位于绝缘钝化层上面的平面电极，在半导体薄膜上面嵌有与该半导体薄膜构成PN结的掺杂区，在绝缘钝化层与半导体薄膜、掺杂区之间设有欧姆接触重掺杂区，平面电极与欧姆接触重掺杂区通过系列点状接触实现电学导通。
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