[发明专利]一种氮化物半导体发光二极管

摘要

本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底、氮化铌Nb2N、氮化铌基混晶缓冲层、n型氮化物半导体、量子阱、p型氮化物半导体，其特征在于：所述衬底上方具有氮化铌Nb2N，所述氮化铌Nb2N上方具有氮化铌基混晶缓冲层。所述氮化铌Nb2N上方沉积的氮化铌基混晶缓冲层包括NbxAlyGa1‑x‑yN缓冲层、Nb2N/GaN超晶格缓冲层、NB2N/AlN超晶格缓冲层、NB2N/AlzGa1‑zN晶格缓冲层、NB2N/AlN/GaN超晶格缓冲层的任意一种或任意组合。

主权项

1.一种氮化物半导体发光二极管，依次包括衬底、氮化铌Nb₂N、氮化铌基混晶缓冲层、n型氮化物半导体、量子阱、p型氮化物半导体，其特征在于：所述衬底上方具有氮化铌Nb₂N，所述氮化铌Nb₂N上方具有氮化铌基混晶缓冲层；所述氮化铌Nb₂N上方沉积的氮化铌基混晶缓冲层包括Nb_xAl_yGa_1‑x‑yN缓冲层、Nb₂N/GaN超晶格缓冲层、NB₂N/AlN超晶格缓冲层、NB₂N/Al_zGa_1‑zN晶格缓冲层、NB₂N/AlN/GaN超晶格缓冲层的任意一种或任意组合；所述衬底类型包括平片衬底和图形化衬底，优选图形化衬底；所述衬底材料包括蓝宝石平面衬底、蓝宝石图形化衬底（PSS）、Si平面衬底、Si图形化衬底、SiC平面衬底、SiC图形化衬底等；所述衬底上方具有氮化铌Nb₂N采用磁控溅射方法或物理气相外延方法生长，厚度为50~500埃米；所述衬底优选图形化衬底，所述图形化衬底包含侧壁和底面，所述图形化衬底的侧壁和底面沉积氮化铌Nb₂N的覆盖率为100%，保证剥离时可以完全剥离氮化铌Nb₂N，所述氮化铌Nb₂N厚度均匀性Ra≤50埃米；所述氮化铌基混晶缓冲层采用MOCVD设备进行外延生长，所述氮化铌基混晶缓冲层包括Nb_xAl_yGa_1‑x‑yN缓冲层、Nb₂N/GaN超晶格缓冲层、NB₂N/AlN超晶格缓冲层、NB₂N/Al_zGa_1‑zN晶格缓冲层、NB₂N/AlN/GaN超晶格缓冲层的任意一种，其中1≤x≤0，1≤y≤0，1≤z≤0；所述Nb₂N/GaN超晶格缓冲层的周期对数为m，NB₂N/AlN超晶格缓冲层的周期对数为n，NB₂N/Al_zGa_1‑zN晶格缓冲层的周期对数为k，NB₂N/AlN/GaN超晶格缓冲层的周期对数为l，其中1≤m≤20，1≤n≤20，1≤k≤20，1≤l≤20。