[发明专利]衬底、包括衬底的集成电路装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201910285120.3 | 申请日： | 2019-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN110797386A | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 李仁智;高德吉;金娟淑 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体衬底、半导体外延衬底、集成电路装置及其制造方法。半导体衬底包括：主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。 | ||
| 搜索关键词： | 主表面 衬底 凹口 偏角 半导体 集成电路装置 半导体外延 方向设置 方向相对 边缘处 晶面 平行 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，包括：/n主表面，所述主表面在所述主表面的第一径向上从平行于晶面的第一方向相对于所述晶面倾斜第一偏角，所述第一偏角大于0°；以及/n凹口，所述凹口在所述主表面的沿所述第一径向的边缘处朝向所述第一方向设置。/n
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