[发明专利]一种利用富集植物裸柱菊修复重金属镉污染土壤的方法在审
申请号: | 201910287159.9 | 申请日: | 2019-04-10 |
公开(公告)号: | CN110026418A | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 施加春;黄涂海;孟龙;徐建明;陈謇 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | B09C1/00 | 分类号: | B09C1/00 |
代理公司: | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人: | 胡红娟 |
地址: | 310013 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种利用富集植物裸柱菊修复重金属镉污染土壤的方法,包括:(1)将培育的裸柱菊幼苗种植在重金属镉污染土壤中,植物生长成熟后第一次收获植株地上部,保留植物根系继续生长;植物成熟后第二次收获植株地上部,保留根系继续生长;重复上述生长和收获过程;(2)将春季和秋季收获的植株地上部进行无害化处理,所述无害化处理的方式为焚烧或压缩填埋。该方法中裸柱菊对重金属镉有极强的耐性和富集特性、修复成本低、同时不破坏土壤理化性质和不产生二次污染。 | ||
搜索关键词: | 裸柱 重金属镉污染 植株 收获 无害化处理 富集植物 修复 生长 土壤 土壤理化性质 二次污染 幼苗种植 植物根系 重金属镉 保留 富集 根系 填埋 成熟 焚烧 压缩 重复 培育 | ||
【主权项】:
1.一种利用富集植物裸柱菊修复重金属镉污染土壤的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:(1)将培育的裸柱菊幼苗种植在重金属镉污染土壤中,植物生长成熟后第一次收获植株地上部,保留植物根系继续生长;植物成熟后第二次收获植株地上部,保留根系继续生长;重复上述生长和收获过程;(2)将春季和秋季收获的植株地上部进行无害化处理,所述无害化处理的方式为焚烧或压缩填埋。
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