[发明专利]一种高压直流断路器用压接式IGBT器件使用寿命等效计算方法在审
| 申请号： | 201910289508.0 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN111814291A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 程养春;扈梦玥 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F119/04 |
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| 地址： | 102206*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了功率半导体器件可靠性试验领域的一种高压直流断路器用压接式IGBT器件可靠性试验等效方法。具体包括利用多物理场仿真软件进行热、电、机械三物理场耦合仿真结果，得到持续时间一定时，不同电流水平下芯片结温温升与电流水平的关系，根据该关系可知试验电流与实际电流水平下器件的芯片温升；为建立不同电流水平下寿命之间的等效关系，选择温升作为等效量，并定义不同电流水平下温升差异量ΔM(℃)为较低电流水平下温升数值与较高电流水平下温升数值之间的差值；按照电子元器件寿命老化模型(10℃法则)，可得不同电流水平下温升差异ΔM(℃)与寿命关系表达式，根据该表达式，可通过试验电流I |
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| 搜索关键词： | 一种 高压 直流 断路 器用 压接式 igbt 器件 使用寿命 等效 计算方法 | ||
【主权项】：
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