[发明专利]一种基于甲基化修饰制备半导体性单壁碳纳米管的方法有效
| 申请号： | 201910289620.4 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110028055B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 胡悦;王赢;钱金杰;黄少铭 | 申请（专利权）人： | 温州大学 |
| 主分类号： | C01B32/162 | 分类号： | C01B32/162;C01B32/159;C01B32/168;H01L29/12;H01L29/16;H01L29/775 |
| 代理公司： | 温州名创知识产权代理有限公司 33258 | 代理人： | 陈加利 |
| 地址： | 325000 浙江省温州市瓯*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种基于甲基化修饰制备半导体性单壁碳纳米管的方法。所述半导体性单壁碳纳米管的制备方法如下：(1)利用化学气相沉积在ST‑cut石英上生长单壁碳纳米管。(2)将在ST‑cut石英中生长的单壁碳纳米管转移到将SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 基于 甲基化 修饰 制备 半导体 性单壁碳 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于甲基化修饰制备半导体性单壁碳纳米管的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)利用化学气相沉积方法在基底上生长单壁碳纳米管；(2)将步骤(1)在ST‑cut石英中生长的单壁碳纳米管转移到SiO2/Si基底上；(3)将步骤(2)处理的SiO2/Si基底放入含有过氧化二叔丁基的溶液中，并在紫外氙灯照射，使得步骤(1)所制备的金属性单壁碳纳米管发生甲基化反应，使其转变为半导体性单壁碳纳米管，最后用乙醇清洗并用氮气吹干。
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