[发明专利]半导体发光元件在审
| 申请号： | 201910289821.4 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110380336A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 神崎武司;宫地宏树;加城谅一 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/10 | 分类号： | H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 杨琦;陈明霞 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 该半导体发光元件包括：活性层；夹着活性层的上部包层和下部包层；和与活性层光学结合的相位调制层，其中相位调制层包括：基本层；和与基本层折射率不同的多个差异折射率区域，多个差异折射率区域配置成，在相位调制层的倒易晶格空间上的明线的外侧的区域形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 相位调制 活性层 半导体发光元件 折射率区域 基本层 区域形成图案 光学结合 晶格空间 上部包层 下部包层 折射率 明线 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件，其特征在于，包括：活性层；夹着所述活性层的一对包层；和与所述活性层光学结合的相位调制层，所述相位调制层包括：基本层；和与所述基本层折射率不同的多个差异折射率区域，在规定连接最靠近而相邻的所述差异折射率区域的重心位置间的线段，并将由该线段的垂直平分线围成的最小的区域作为各个单位构成区域时，多个所述差异折射率区域配置成，在所述相位调制层中的倒易晶格空间上的单位构成区域的内侧且明线的外侧的区域，形成具有扩散的强度不为0的图案。
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