[发明专利]负电容场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201910289950.3 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN109980016A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张青竹;张兆浩;叶甜春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/51;H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种负电容场效应晶体管及其制备方法。该负电容场效应晶体管包括：衬底结构，衬底结构包括MOS区域；栅绝缘介质层结构，覆盖于MOS区域上，包括沿远离衬底结构的方向顺序层叠的界面氧化层和铁电缓变层，形成铁电缓变层的材料为掺杂的铁电材料，沿远离衬底结构的方向铁电缓变层的掺杂浓度逐渐变化，且铁电材料由HfO2逐渐变化至HfxA1‑xO2，其中，A为掺杂元素，0＜x＜1；金属栅叠层，覆盖于栅绝缘介质层结构上。铁电缓变层能够通过晶格应变或者金属元素诱导改变HfxA1‑xO2的晶格与晶粒大小以及走向，从而通过提升铁电材料的电畴极性，提高了NCFET的铁电特性、材料稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底结构 缓变层 铁电 效应晶体管 铁电材料 电容场 栅绝缘介质层 逐渐变化 制备 材料稳定性 界面氧化层 晶粒 掺杂元素 方向顺序 金属元素 晶格应变 铁电特性 掺杂的 金属栅 电畴 叠层 晶格 覆盖 诱导 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种负电容场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底结构，所述衬底结构包括MOS区域；栅绝缘介质层结构，覆盖于所述MOS区域上，包括沿远离所述衬底结构的方向顺序层叠的界面氧化层和铁电缓变层，形成所述铁电缓变层的材料为掺杂的铁电材料，沿远离所述衬底结构的方向所述铁电缓变层的掺杂浓度逐渐变化，且所述铁电材料由HfO2逐渐变化至HfxA1‑xO2，其中，A为掺杂元素，0＜x＜1；金属栅叠层，覆盖于所述栅绝缘介质层结构上。
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