[发明专利]一种多路复用多值阻变结构及其形成的神经网络有效
| 申请号： | 201910290334.X | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110137348B | 公开（公告）日： | 2023-01-31 |
| 发明（设计）人： | 沈灵;蒋宇;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/00 | 分类号： | H10N70/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多路复用多值阻变结构，包括阻变存储器单元和MOS选择单元，阻变存储器单元包括M个阻变存储器子单元，MOS选择单元包括N个并联的复用MOS管；阻变存储器子单元包括阻变存储器和控制MOS管，阻变存储器的一端连接该阻变存储器子单元对应的控制信号，另一端连接所述控制MOS管的漏极，控制MOS管的栅极连接该阻变存储器子单元对应的选择信号，且M个控制MOS管的源极与N个复用MOS管的漏极共同连接至同一节点；N个复用MOS管的源极共同连接至输出端口，每个复用MOS管的栅极连接对应的导通信号。本发明利用了简化的MOS选择单元来实现多值的模拟量输出，减少了灵敏放大器和数字‑模拟转换器等电路模块，节省了电路面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多路复用 多值阻变 结构 及其 形成 神经网络 | ||
【主权项】：
1.一种多路复用多值阻变结构，其特征在于，包括阻变存储器单元和MOS选择单元，所述阻变存储器单元包括M个阻变存储器子单元，所述MOS选择单元包括N个并联的复用MOS管；其中，M和N均为大于1的整数；所述阻变存储器子单元包括阻变存储器和控制MOS管，其中，所述阻变存储器的一端连接该阻变存储器子单元对应的控制信号，另一端连接所述控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的栅极连接该阻变存储器子单元对应的选择信号，且M个控制MOS管的源极与N个复用MOS管的漏极共同连接至同一节点；所述N个复用MOS管的源极共同连接至输出端口，每个复用MOS管的栅极连接对应的导通信号。
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