[发明专利]一种三维分子基铁电存储器件在审
| 申请号： | 201910291134.6 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN110041208A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 游雨蒙;冯子杰;熊昱安 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C07C211/07 | 分类号： | C07C211/07;C07C209/00;C07F7/24;H01L27/11585;H01L27/1159 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 卢倩 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于微电子存储器技术领域，特别涉及一种三维分子基铁电存储器件，包括所述分子基铁电存储器晶体薄膜、中心电极、周围电极和绝缘层；分子基铁电存储器晶体薄膜包裹在金属柱上，金属柱充当中心电极；周围电极是采用液相或气相沉积在分子基铁电存储器晶体薄膜上的金属；周围电极镶嵌在绝缘层里；其分子基铁电存储材料，所述分子基铁电存储材料的通式为：AxByCz；其中：A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子，B为金属阳离子，C为阴离子；该存储器件采用三维结构的设计，存储密度高，可根据要求改变堆叠层数实现不同的存储容量，同时具备低功耗、高性能、高可靠性且可低温制备的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 分子基 铁电存储器 晶体薄膜 周围电极 绝缘层 铁电存储材料 铁电存储器件 中心电极 金属柱 三维 微电子存储器 金属阳离子 有机阳离子 存储器件 存储容量 低温制备 高可靠性 气相沉积 三维结构 低功耗 堆叠层 小分子 阴离子 存储 镶嵌 金属 | ||
【主权项】：
1.一种分子基铁电存储材料，其特征在于，所述分子基铁电存储材料的通式为：AxByCz；其中：A为含氮、膦或氟的小分子有机阳离子，B为金属阳离子，C为阴离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910291134.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
