[发明专利]一种垂直集成单元二极管芯片有效

专利信息
申请号: 201910291408.1 申请日: 2019-04-11
公开(公告)号: CN110060996B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 蒋振宇;闫春辉 申请(专利权)人: 深圳第三代半导体研究院
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/861
代理公司: 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 代理人: 彭随丽
地址: 518000 广东省深圳市龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种垂直集成单元发光二极管,包括:第一导电类型电极,第二导电类型电极,及位于所述第一导电类型电极和第二导电类型电极之间的二极管台面结构,所述二极管台面结构包括多个二极管单元,所述多个二极管单元呈几何形状排列。本发明解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题,提高了单位面积芯片的流明输出,降低了流明成本。
搜索关键词: 一种 垂直 集成 单元 二极管 芯片
【主权项】:
1.一种垂直集成单元二极管芯片,其特征在于,包括:第一导电类型电极,第二导电类型电极,及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构,所述二极管台面结构包括n个二极管单元,所述n个二极管单元呈几何形状排列,台面结构面积根据电流扩散长度确定,其中,n≥2。
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