[发明专利]一种双氧化层RRAM及其制备方法在审
| 申请号： | 201910292557.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110071216A | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 沈棕杰;赵春;赵策洲;杨莉;罗天;张艺;孙艺 | 申请（专利权）人： | 西交利物浦大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于电子器件技术领域，具体保护基于金属氧化物的双氧化物层RRAM及其制备方法。双氧化物层RRAM包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述阻变氧化层为由上至下层叠设置的In2O3和Al2O3双层金属氧化层；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述基底包括底电极层和绝缘层。本发明对两层金属氧化层均采用溶液法工艺制备，实现低成本RRAM的制备，相较于单层金属氧化层的RRAM器件，阻变特性更好，且设备和原料投资较少，可实现大规模工业应用。 | ||
| 搜索关键词： | 阻变氧化层 制备 金属氧化层 层叠设置 顶电极层 双氧化物 顶电极 基底 绝缘层 金属氧化物 底电极层 电子器件 工业应用 工艺制备 双层金属 双氧化层 阻变特性 保护层 低成本 溶液法 氧化层 单层 两层 投资 | ||
【主权项】：
1.一种双氧化层RRAM，其特征在于，包括由上至下层叠设置的顶电极层，阻变氧化层和基底；所述顶电极层包括若干阵列在阻变氧化层上的顶电极，所述顶电极在远离阻变氧化层的表面设有保护层；所述阻变氧化层为双层金属氧化层；所述基底包括层叠设置的上层的底电极层和下层的绝缘层。
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