[发明专利]一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器及制备方法有效

专利信息
申请号: 201910292848.9 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN110010637B 公开(公告)日: 2021-05-07
发明(设计)人: 王开友;杨美音;邓永城 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: H01L27/22 分类号: H01L27/22;H01L43/08;H01L43/12
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器,该存取器包括:一楔形自旋轨道耦合层;一磁阻隧道结,位于所述楔形自旋轨道耦合层上,包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层,所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。本发明提供的自旋轨道矩磁阻式随机存储器及其制备方法,将磁阻隧道结设置于楔形的自旋轨道耦合层上,当在自旋轨道耦合层中通入电流源时,会在自旋轨道耦合层中产生自旋流和自旋流密度梯度,自旋流密度梯度引起一个自旋矩,导致磁矩在电流的作用下定向翻转,翻转的方向可以通过自旋电流源的方向控制,实现自旋轨道矩磁阻式随机存储器中磁矩的定向翻转。
搜索关键词: 一种 自旋 轨道 磁阻 随机 存储器 制备 方法
【主权项】:
1.一种自旋轨道矩磁阻式随机存储器,包括:一楔形自旋轨道耦合层;一磁阻隧道结,位于所述楔形自旋轨道耦合层上,包括由下至上依次层叠的第一磁性层、隧穿层和第二磁性层,所述第一磁性层和所述第二磁性层具有垂直各向异性。
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