[发明专利]超特高压均压环用半导体材料及均压环生产工艺在审

专利信息
申请号: 201910292903.4 申请日: 2019-04-12
公开(公告)号: CN109943015A 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: 白慧琳;高海涛;郝逢媛;冯焕丽;马占山 申请(专利权)人: 平顶山正植科技有限公司
主分类号: C08L61/06 分类号: C08L61/06;C08K3/04;C08K7/00;C08K9/06;C08K3/36
代理公司: 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 代理人: 时立新;付艳丽
地址: 467000 河南省平顶山*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明针对现有均压环材料容易造成均压环在超特高压下电越、失效的问题,提供一种超特高压均压环用半导体材料及均压环生产工艺,均压环本体采用如下组分的半导体材料生产而成:以重量百分比计,石墨10‑25%,石墨烯0.01‑0.5%,摩擦材料用酚醛树脂25‑45%,余量为改性SiO2。由于本发明所述半导体材料的使用,所生产的均压环在超特高压下内部存在电场,从根本上避免了电越问题,而且该均压环在电压发生突变时不易造成器件击穿,显著提高设备整体可靠性能。
搜索关键词: 均压环 半导体材料 超特高压 生产工艺 重量百分比 酚醛树脂 可靠性能 摩擦材料 设备整体 电场 石墨烯 石墨 改性 击穿 下电 突变 生产
【主权项】:
1.一种超特高压均压环用半导体材料,其特征在于:均压环本体采用如下组分的半导体材料生产而成:以重量百分比计,石墨 10‑25%,石墨烯 0.01‑0.5%,摩擦材料用酚醛树脂 25‑45%,余量为改性SiO2
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