[发明专利]超特高压均压环及其生产工艺有效
申请号: | 201910292905.3 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110010314B | 公开(公告)日: | 2020-08-04 |
发明(设计)人: | 白慧琳;高海涛;郝逢媛;冯焕丽;马占山 | 申请(专利权)人: | 平顶山正植科技有限公司 |
主分类号: | H01B17/42 | 分类号: | H01B17/42;C08L61/06;C08K9/06;C08K3/36;C08K3/04;C08K7/00;C23C14/18;C23C14/35 |
代理公司: | 郑州联科专利事务所(普通合伙) 41104 | 代理人: | 时立新;付艳丽 |
地址: | 467000 河南省平顶山*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明针对现有均压环材料容易造成均压环在超特高压下电位差、失效的问题,提供一种超特高压均压环及其生产工艺,包括呈环状的均压环本体,所述均压环本体由半导体材料制备而成,所述均压环本体外同轴设有铝环,所述均压环本体与铝环之间的环形间隔内均布若干连接杆,且所述连接杆的延伸线过所述均压环本体与铝环的圆心。由于本发明所述半导体材料的使用,所生产的均压环在超特高压下内部存在电场,从根本上避免了电位差问题,而且该均压环在电压发生突变时不易造成器件击穿,显著提高设备整体可靠性能。 | ||
搜索关键词: | 高压 均压环 及其 生产工艺 | ||
【主权项】:
1.一种超特高压均压环,包括呈环状的均压环本体,其特征在于,所述均压环本体由半导体材料制备而成,所述均压环本体外同轴设有铝环,所述均压环本体与铝环之间的环形间隔内均布若干连接杆,且所述连接杆的延伸线过所述均压环本体与铝环的圆心。
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