[发明专利]用于透明显示的GaN Micro-LED阵列器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201910293737.X | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109841710B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 刘斌;王琦;张荣;陶涛;许非凡;余俊驰;潘丹峰;谢自力;周玉刚;修向前;陈敦军 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。并公开其制备方法。本发明的可用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，首先在硅衬底上制备Micro‑LED阵列器件，然后利用粘结键合和刻蚀技术将器件转移到玻璃基板上。本发明通过绝缘层使得Micro‑LED阵列器件的漏电流更小，不易被氧化；使用硅衬底降低制备成本，更有利于走剥离衬底的路线；通过粘结键合、湿法腐蚀、等离子体刻蚀等方法，将GaN Micro‑LED阵列器件从硅衬底转移到了玻璃基板上，实现了背面出光，可以用于透明显示。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 透明 显示 gan micro led 阵列 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于透明显示的GaN Micro‑LED阵列器件，其特征在于：将硅基GaN Micro‑LED阵列器件的硅衬底层刻蚀掉，然后在硅衬底层的位置粘合上玻璃基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京大学，未经南京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910293737.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
