[发明专利]一种提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法

摘要

一种提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，基于三维架构NAND闪存存储器，对于进行多次擦除和编程操作的器件，当BER到达用户设定的阈值后，将器件最后保持为擦除状态，再对器件进行退火。若是器件进行擦除/编程操作后，最后存储单元保持状态若为随机写入或是最高态G态的情况，并不会出现这种修复的现象。本发明是在擦除状态下对存储器进行高温退火，在经过此方法的过程以后，得到错误率也相对于普通方法大大减小，采用简单的方法实现了提高三维NAND闪存存储器的耐久性，利用高温退火修复了三维NAND闪存存储器在PE循环中引起的数据损坏。

主权项

1.一种提高三维NAND闪存存储器耐久性的方法，其特征是：基于三维架构NAND闪存存储器，对于进行多次擦除和编程操作的器件，当BER到达用户设定的阈值后，将存储器最后保持为擦除状态，再对器件进行退火。