[发明专利]一种正装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201910294209.6 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN110148653A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 仇美懿;庄家铭 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的发光结构、环状结构、第一电极和隔离沟槽，以及设于发光结构上的第二电极；所述环状结构将第一电极的本体包围在内，所述隔离沟槽位于发光结构和环状结构之间，所述环状结构的宽度为d，3μm≤d≤10μm。相应地，本发明还提供了一种正装LED芯片。本发明的正装LED芯片通过环状结构，有效避免芯片因金属电解迁移引起的短路，提高芯片的抗高温高湿性能，提高芯片的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 环状结构 正装 发光结构 半导体层 第一电极 隔离沟槽 芯片 衬底 第二电极 高湿性能 金属电解 抗高温 短路 迁移 包围 制作 | ||
【主权项】：
1.一种正装LED芯片，其特征在于，包括衬底，设于衬底上的第一半导体层，设于第一半导体层上的发光结构、环状结构、第一电极和隔离沟槽，以及设于发光结构上的第二电极；所述环状结构将第一电极的本体包围在内，所述隔离沟槽位于发光结构和环状结构之间，所述环状结构的宽度为d，3μm≤d≤10μm。
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