[发明专利]半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法及系统

摘要

本发明属于半导体器件内部焊点表面处理技术领域，公开了一种半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法及系统，首先使用物理研磨除去晶圆焊点表面异物层上的基底材料和/或封装填充物；然后使用聚焦离子束对经过研磨的晶圆表面进行清洗，直至晶圆的研磨表面露出异物层；继续使用聚焦离子束对异物层进行清洗，直至异物层纵向和横向均露出端面；并且上述清洗过程中，保持聚焦离子束与晶圆的表面直接形成一个小于15°的夹角；使用材料分析仪对清洗后露出纵向和横向端面的异物层进行分析。

主权项

1.一种半导体器件内部焊点表面异物层的解析方法，其特征在于包括：物理研磨、第一聚焦离子束清洗、第二聚焦离子束清洗、解析分析；所述物理研磨包括：研磨去除半导体器件内部焊点表面异物层上的基底材料和/或封装填充物；所述第一聚焦离子束清洗包括：使用聚焦离子束对经过研磨的内部焊点表面进行清洗，直至内部焊点表面露出异物层的与半导体器件基底平行方向上的断面；所述第二聚焦离子束清洗包括：使用聚焦离子束对异物层进行清洗，直至异物层在相互垂直的第一和第二方向均露出端面；以及在所述第二聚焦离子束清洗中，保持聚焦离子束与内部焊点表面之间形成一个小于15°的夹角；所述解析分析包括：使用材料分析仪对清洗后露出纵向和横向端面的异物层进行分析。