[发明专利]一种自清洁的GO修饰CNC的纳米杂化膜及其制备方法与应用在审
申请号: | 201910295578.7 | 申请日: | 2019-04-12 |
公开(公告)号: | CN110090563A | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 刘玲妃;王海辉;薛健 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | B01D71/10 | 分类号: | B01D71/10;B01D69/02;B01D67/00;C02F1/44;C02F101/34;C02F101/36;C02F101/38 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;江裕强 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种自清洁的GO修饰CNC的纳米杂化膜及其制备方法与应用。所述制备方法包括以下步骤:(1)首先制备GO纳米片层分散液;(2)将CNC经超声处理溶解于溶剂中,形成CNC分散液;(3)然后将氧化石墨烯纳米片层分散液与CNC分散液经超声处理得到混合溶液,将混合溶液通过自下而上法使GO/CNC混合纳米材料在经预处理的多孔基底上制备成膜,获得所述自清洁的GO修饰CNC纳米杂化膜。本发明通过自下而上法简单快速的制备出更加致密的GO修饰CNC的纳米杂化膜,该杂化膜在水处理中展现出良好的分离性能,对伊文思蓝的截留率达到89%以上,且具有一定的自清洁性能。 | ||
搜索关键词: | 制备 杂化膜 分散液 修饰 自清洁 超声处理 混合溶液 纳米片层 预处理 混合纳米材料 致密 氧化石墨烯 自清洁性能 多孔基底 分离性能 截留率 水处理 溶剂 成膜 应用 溶解 | ||
【主权项】:
1.一种自清洁的GO修饰CNC的纳米杂化膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)首先制备GO纳米片层分散液;(2)将CNC经超声处理溶解于溶剂中,形成分散均匀的CNC分散液;(3)然后将氧化石墨烯纳米片层分散液与CNC分散液经超声处理得到混合溶液,将混合溶液通过自下而上法使GO/CNC混合纳米材料在经预处理的多孔基底上制备成膜,获得所述自清洁的GO修饰CNC纳米杂化膜。
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