[发明专利]一种简单制备高比表面积MCM-41的方法在审
| 申请号： | 201910295955.7 | 申请日： | 2019-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN109835916A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 卢美贞;彭礼波;计建炳;刘学军 | 申请（专利权）人： | 浙江工业大学 |
| 主分类号： | C01B39/48 | 分类号： | C01B39/48;C01B37/02;C01B37/06 |
| 代理公司： | 杭州浙科专利事务所(普通合伙) 33213 | 代理人： | 周红芳 |
| 地址： | 310014 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种简单制备高比表面积MCM‑41的方法，它将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中，再逐滴缓慢滴加硅源，滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h，然后在室温下静置60~80 h，静置结束后，过滤分离出固体，固体经去离子水洗涤、干燥后，置于500~600℃下热处理7~9h，即制得高比表面积的MCM‑41。本发明通过水热合成法，制备MCM‑41材料或Al‑MCM‑41材料的过程中，在室温下静置时，同时进行材料的老化和晶化过程，不单独对材料进行高温晶化处理，制备工艺过程简单，耗时短，能耗低，制得的MCM‑41和Al‑MCM‑41介孔材料比表面积大（超过1000 m2/g），孔径3 nm左右。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 去离子水洗涤 制备工艺过程 水热合成法 热处理 保温搅拌 高温晶化 缓慢滴加 介孔材料 晶化过程 完全溶解 模板剂 有机碱 滴加 硅源 水中 离子 耗时 能耗 老化 | ||
【主权项】：
1.一种简单制备高比表面积MCM‑41的方法，其特征在于将模板剂和有机碱在30~40℃下完全溶解在去离子水中，再逐滴缓慢滴加硅源，滴加完毕后继续保温搅拌反应1~3 h，然后在室温下静置60~80 h，静置结束后，过滤分离出固体，固体经去离子水洗涤、干燥后，置于500~600℃下热处理7~9h，即制得高比表面积的MCM‑41。
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