[发明专利]MEMS桥梁结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种MEMS桥梁结构的制造方法，包括：步骤一、在衬底表面形成第一非晶硅层；步骤二、形成第一二氧化硅层；步骤三、形成桥柱孔；步骤四、形成第二二氧化硅层，第一和第二二氧化硅层将第一非晶硅层的表面都覆盖；步骤五、形成作为感应薄膜的第二非晶硅层并进行图形化；步骤六、进行刻蚀将桥柱孔底部的衬底表面露出；步骤七、形成电极材料层并进行图形化，图形化后的电极材料层和第二非晶硅层以及衬底表面接触；步骤八、形成ONO层并进行图形化，图形化后的ONO层覆盖在电极材料层的顶部以消除应力；步骤九、进行所述第一非晶硅层的刻蚀形成悬空的桥梁结构。本发明能防止桥梁结构产生上卷，从而能防止桥梁结构坍塌。

主权项

1.一种MEMS桥梁结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在衬底表面形成作为承载体的第一非晶硅层；步骤二、在所述第一非晶硅层表面形成第一二氧化硅层；步骤三、采用光刻定义加刻蚀工艺形成桥柱孔，所述桥柱孔穿过所述第一二氧化硅层和所述第一非晶硅层；步骤四、形成第二二氧化硅层，所述第二二氧化硅层覆盖在所述桥柱孔的底部表面和侧面并延伸到所述桥柱孔外的所述第一二氧化硅层的表面，所述第一二氧化硅层和所述第二二氧化硅层叠加形成将所述第一非晶硅层的表面都覆盖的保护层；步骤五、在所述保护层的表面形成作为感应薄膜的第二非晶硅层，采用光刻定义加刻蚀工艺对所述第二非晶硅层进行图形化；步骤六、进行刻蚀将所述桥柱孔的底部所述第二二氧化硅层去除并将所述衬底表面露出；步骤七、形成电极材料层，采用光刻定义加刻蚀工艺对所述电极材料层进行图形化，图形化后的所述电极材料层和所述第二非晶硅层接触以及在所述桥柱孔的底部和所述衬底表面接触；步骤八、形成ONO层，所述ONO层由第三二氧化硅层、第四氮化硅层和第五二氧化硅层叠加而成；采用光刻定义加刻蚀工艺对所述ONO层进行图形化，图形化后的所述ONO层覆盖在所述电极材料层的顶部并用于消除所述电极材料层的应力；步骤九、进行所述第一非晶硅层的刻蚀，在所述第一非晶硅层去除的区域形成镂空区域并形成悬空的桥梁结构。