[发明专利]浅沟槽隔离结构的制造方法

摘要

本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底上形成浅沟槽；步骤二、涂布聚氮硅烷层；步骤三、进行氧氮置换工艺将聚氮硅烷层转换为二氧化硅层并形成浅沟槽隔离结构；氧氮置换工艺包括两次以上的炉管水汽工艺，两次炉管水汽工艺之间包括一次热退火工艺和一次减薄工艺。本发明能采用PSZ实现对浅沟槽的良好填充，并能提高对PSZ的氧氮置换效果以及提高转换后的二氧化硅的致密性从而能提高二氧化硅的膜质，同时能减少有源区的热过程。

主权项

1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底上形成浅沟槽，由所述浅沟槽隔离出有源区；步骤二、涂布聚氮硅烷层，所述聚氮硅烷层将所述浅沟槽完全填充并延伸到所述浅沟槽外的所述半导体衬底表面，所述聚氮硅烷层具有平坦表面；步骤三、进行氧氮置换工艺将所述聚氮硅烷层中的氮置换为氧形成二氧化硅层，由填充于所述浅沟槽中的二氧化硅层组成浅沟槽隔离结构；所述氧氮置换工艺包括两次以上的炉管水汽工艺，通过各所述炉管水汽工艺实现形成所述二氧化硅层的氧氮置换；两次所述炉管水汽工艺之间包括一次热退火工艺和一次减薄工艺；所述热退火工艺实现对所形成的所述二氧化硅层进行致密化，通过降低各次对应的所述热退火工艺的温度减少所述有源区承受的热过程；所述减薄工艺对所述二氧化硅层的厚度进行减薄，结合所述减薄工艺和多次所述炉管水汽工艺增加氧氮置换效果。