[发明专利]一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法

摘要

本发明提供了一种复合结构增强的QLED器件及其制备方法，通过纳米网格结构复合褶皱结构构筑的微纳米结构复合结构来提高正型QLED器件出光效率。构筑复合结构基于纳米压印技术、微贴附技术以及表面等离子体刻蚀技术，包括纳米压印模板的制备以及对转移后的图案再次进行处理。本发明通过纳米压印技术使IPS聚合物作为纳米压印的模板，并通过微贴附技术将模板图案转移至PDMS介质层上，再以此为基础，采用表面等离子体刻蚀技术在玻璃基底上构筑复合结构增强QLED基底出光。本发明的复合结构增强的QLED器件可以拥有最高的亮度与效率，亮度和EQE较常规器件最高均提升了46%；复合结构的构筑方式简单、成本低廉，有利于产业化的推广应用。

主权项

1.一种复合结构增强的QLED器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）在ITO玻璃基底的ITO一侧依次旋涂PEDOT:PSS层、TFB层、QDs层和ZnO层，再在ZnO层上蒸镀Al电极，Al电极上使用固化胶固化，得到已封装的QLED器件；（2）揭去IPS模板上的保护层，将撕去保护层的一面完全贴附于Si母版上，而后将IPS模板与Si母版一起放入纳米压印仪器的载物台中央，并在IPS模板上方覆盖一层UV片作为保护层，进行第一次纳米压印，使IPS模板完全复制Si母版的光栅结构，脱模，将紧密贴附在Si母版上的IPS模板揭下，即在IPS模板上形成第一光栅结构；（3）对步骤（2）所得的IPS模板旋转90°后重新贴附在Si母版上，并在IPS模板上方覆盖一层UV片作为保护层，将载物台送入升降台上方后降下舱门启动程序进行第二次纳米压印，压印结束后脱模，即可在IPS模板上形成第二光栅结构；（4）将步骤（3）所得的IPS模板超声处理后氮气吹干，得到已清洁的IPS模板备用；（5）清洁并干燥已封装的QLED器件的ITO玻璃基底的玻璃一侧；（6）将PDMS的液态基本组分与固化剂混合后在常温搅拌20~40min，之后放入真空干燥箱抽真空1~3h后取出，待溶液内的气泡完全排出后取出PDMS溶液，将PDMS溶液浇筑在步骤（5）的已清洁的QLED器件的ITO玻璃基底的玻璃一侧，而后将步骤（4）所得的已清洁的IPS模板贴附于ITO玻璃基底上浇筑的PDMS溶液上，真空干燥并填充，待PDMS溶液完全填充已清洁的IPS模板后，再35~45℃加热2~4 h使PDMS溶液完全固化，剥离IPS模板，即可得PDMS网格结构增强的QLED器件；（7）将步骤（6）所得的PDMS网格结构增强的QLED放进RIE刻蚀腔室，在功率为150w、O₂流量为80 sccm的条件下刻蚀20~70s，即可得到PDMS复合结构增强的QLED器件。