[发明专利]一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺

摘要

本发明公开了一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，该制备工艺按以下步骤进行；步骤1：准备材料；步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包；步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350‑1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中；步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。

主权项

1.一种利用堤坝式冲入法制备硅锶孕育剂的制备工艺，其特征在于：利用该制备方法能够生产的硅锶孕育剂的组分按质量百分比为：Si：45‑80％，Sr：0.1‑5.0％，Ca<0.1％，Al<0.5％，余量Fe；并且该制备方法按以下步骤进行；步骤1：准备材料，该材料包括：适量的低铝硅铁、适量的金属锶、适量的覆盖剂，所述覆盖剂由大颗粒状的低铝硅铁、小颗粒状的低铝硅铁组成，其中低铝硅铁采用低铝硅铁TFeSi75‑A，金属锶的纯度Sr≥99％，大颗粒状低铝硅铁的粒度大小为2~5mm，小颗粒状低铝硅铁粒度大小为0.1~2mm；步骤2：先将堤坝式球化包清理干净，堤坝式球化包通过设置在内部的堤坝分成两块，一块为球化室，一块为球化包，将步骤1中的小颗粒状低铝硅铁均匀的铺在球化室底部，铺设厚度为10‑15mm，然后将金属锶放入球化室中，然后再将金属锶与球化室之间的间隙用小颗粒状低铝硅铁均匀填充，最后再在金属锶上表面用大颗粒状低铝硅铁均匀覆盖，厚度为10‑15mm，然后用表面光滑且平整的压板压平即可；步骤3：将低铝硅铁放入中频感应炉中加热，并且加热至1350‑1420℃，待低铝硅铁完全熔化后立即停止加热，然后均速倒入球化包中，当球化包中的低铝硅铁熔体最高点与堤坝齐平并且向球化室蔓延时，仍继续均速倾倒，直至低铝硅铁熔体全部倾倒为止；步骤4：完成步骤3后，待金属锶全融化后，然后对其进行搅拌后，浇入孕育模锭中，然后空冷至室温即可制成块状的硅锶孕育剂；步骤5：将成块状的硅锶孕育剂放入破碎机中，按要求进行破碎成合适的粒度，最后打包即可。