[发明专利]高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 201910298721.8 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN111834435A | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L29/207;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，该制作高电子迁移率晶体管的方法为，首先形成一缓冲层于一基底上，然后形成第一阻障层于该缓冲层上，形成一图案化掩模于第一阻障层上，形成一第二阻障层于图案化掩模两侧，去除该图案化掩模以形成一凹槽，形成一栅极电极于凹槽内，再形成一源极电极以及一漏极电极于栅极电极两侧。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910298721.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种存储芯片及其控制方法
- 下一篇：一种预荷电器
- 同类专利
- 专利分类
