[发明专利]KDP类晶体生长槽槽底杂晶的消除装置和方法有效
| 申请号： | 201910298804.7 | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110093666B | 公开（公告）日： | 2021-03-02 |
| 发明（设计）人： | 齐红基;陈端阳;邵建达;王斌;范永涛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C30B29/14 | 分类号： | C30B29/14;C30B7/00 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | KDP类晶体生长槽槽底杂晶的消除装置和方法，可以在晶体生长槽槽底产生杂晶的情况下，通过计算机图像识别杂晶的位置，自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热，从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温，直到杂晶被完全消除。本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解晶体生长槽槽底的杂晶，提高KDP类晶体生长的成功率。 | ||
| 搜索关键词： | kdp 晶体生长 槽槽底杂晶 消除 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种KDP类晶体生长槽槽底杂晶的消除装置，包括晶体生长槽(3)、位于所述的晶体生长槽(3)内部的载晶架(1)，该载晶架(1)通过载晶架连杆(4)与位于所述的晶体生长槽(3)外部的旋转电机(5)相连，所述的晶体生长槽(3)的侧壁开有观察窗(9)，在所述的观察窗(9)外侧安装有相机(8)，所述的相机(8)与计算机(6)通信联接，其特征在于，在所述的晶体生长槽(3)槽底布置有多个加热片(10)，每个加热片(10)相对所述的晶体生长槽(3)槽底中心的位置信息都以编码的形式存储在所述的计算机(6)中，所述的计算机(6)发送指令给所述的控制器(7)，由所述的控制器(7)选择控制需要的加热片(10)发热。
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