[发明专利]KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法有效

专利信息
申请号: 201910299107.3 申请日: 2019-04-15
公开(公告)号: CN110055578B 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 齐红基;陈端阳;邵建达;王斌;范永涛 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: C30B7/00 分类号: C30B7/00;C30B29/14
代理公司: 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 代理人: 张宁展
地址: 201800 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置和方法,可以在载晶架上产生杂晶的情况下,通过计算机图像识别杂晶的位置,自动发送指令通知控制器控制杂晶位置下面加热片发热,从而在杂晶所在的区域形成一个局部的高温,直到杂晶被完全消除。本发明可以在不影响晶体正常生长的情况下溶解载晶架上的杂晶,提高KDP类晶体生长的成功率。
搜索关键词: kdp 晶体生长 过程 中载晶 架上 消除 装置 方法
【主权项】:
1.一种KDP类晶体生长过程中载晶架上杂晶的消除装置,包括晶体生长槽(3)、位于所述的晶体生长槽(3)内部的载晶架(1),该载晶架(1)通过载晶架连杆(4)与位于晶体生长槽(3)外部的旋转电机(7)相连,晶体生长槽(3)的侧壁开有观察窗(12),所述的载晶架连杆(4)上安装有编码器(6),在所述的观察窗(12)外侧安装有相机(11),所述的编码器(6)和相机(11)均与计算机(9)通信联接,其特征在于,在所述的载晶架连杆(4)上设置导电滑环(5),在载晶架(1)的下托盘内部布置多个加热片(13),且每个加热片(13)相对所述的载晶架(1)的下托盘中心的位置信息都以编码的形式存储在所述的计算机(9)中,在载晶架(1)和载晶架连杆(4)的内部均铺设信号线(10),所述的加热片(13)通过信号线(10)与所述的导电滑环(5)相联,该导电滑环(5)经控制器(8)和所述的计算机(9)相联,所述的计算机(9)发送指令给所述的控制器(8),所述的控制器(8)控制所述的加热片(13)发热。
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