[发明专利]非易失性三维半导体存储器件的多值编程方法及系统有效
| 申请号： | 201910299538.X | 申请日： | 2019-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN110189783B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 缪向水;闫鹏;童浩 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/14 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性三维半导体存储器件的多值编程方法及系统，属于半导体存储技术领域，包括：根据数据编码关系确定待存储数据所对应的存储单元状态，作为目标状态；若目标状态为擦除状态，则多值编程操作结束；否则，对存储单元施加编程脉冲，并通过逐步增加编程脉冲的幅值和宽度的方式将存储单元从擦除状态依次编程到阈值电压较高的状态，以使得存储单元达到目标状态，从而实现多值编程；其中，数据编码关系为存储单元所存储的2比特数据的取值与存储单元状态的一一对应关系；编程过程中，存储单元在任意两个相邻状态下的阈值电压之差大于最小电压间隔。本发明可实现对非易失性三维半导体存储器件的多值编程，并具有较高的编程精度。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 三维 半导体 存储 器件 编程 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性三维半导体存储器件的多值编程方法，用于在每个存储单元中实现2比特数据存储，其特征在于，包括：(1)根据数据编码关系确定待存储数据所对应的存储单元状态，作为目标状态；(2)若所述目标状态为擦除状态，则多值编程操作结束；否则，对存储单元施加编程脉冲，并通过逐步增加所述编程脉冲的幅值和宽度的方式将所述存储单元从擦除状态依次编程到阈值电压较高的状态，直至所述存储单元达到所述目标状态，从而实现多值编程；其中，所述数据编码关系为存储单元所存储的2比特数据的取值与存储单元状态的一一对应关系。
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