[发明专利]一种基于无机非铅锑基钙钛矿量子点的黄光LED及其制备方法有效
申请号: | 201910299626.X | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110010785B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 史志锋;马壮壮;张飞;王林涛;李新建 | 申请(专利权)人: | 郑州大学 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;C09K11/61 |
代理公司: | 郑州慧广知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 41160 | 代理人: | 付晓利 |
地址: | 450000 河南*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明属于半导体发光器件技术领域,具体涉及一种基于无机非铅锑基钙钛矿量子点的黄光LED及其制备方法。该制备方法包含以下步骤:(1)通过配体辅助再沉淀技术合成Cs |
||
搜索关键词: | 一种 基于 无机 非铅锑基钙钛矿 量子 led 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于无机非铅锑基钙钛矿量子点的黄光LED,其特征在于,包括紫外LED芯片(3)和设置于紫外LED芯片(3)顶部的发光层,发光层包括环氧树脂胶体(1)和设置于环氧树脂胶体(1)内的Cs3Sb2Br4.5I4.5钙钛矿量子点(2)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于郑州大学,未经郑州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910299626.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择