[发明专利]碳化硅场效应管的栅极关断控制方法、装置及驱动电路在审
申请号: | 201910299725.8 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN109831197A | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 李建成;陈一平;李乐乐;陈亮 | 申请(专利权)人: | 湖南德雅坤创科技有限公司 |
主分类号: | H03K17/687 | 分类号: | H03K17/687;H03K17/0812;H03K17/16 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 410000 湖南省长沙市开福区*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请公开了一种栅极关断控制方法,包括:获取碳化硅场效应管的寄生参数;根据寄生参数判断碳化硅场效应管的过冲电压与栅极关断电压的单调关系;根据单调关系确定栅极关断电压在预设数值区间内的最佳取值,栅极关断电压在最佳取值处令过冲电压取得区间最小值;输出大小为最佳取值的栅极关断电压至碳化硅场效应管的栅极,以便关断碳化硅场效应管。本申请选择了令过冲电压数值较小的栅极关断电压进行碳化硅场效应管的关断控制,在解决串扰问题的同时也可有效地抑制漏源电压震荡,避免因过冲电压过大而出现器件损坏现象,保障电路运行安全。本申请还公开了一种碳化硅场效应管的栅极关断控制设备以及驱动电路,同样具有上述有益效果。 | ||
搜索关键词: | 场效应管 碳化硅 关断电压 关断控制 过冲电压 单调关系 寄生参数 驱动电路 申请 保障电路 漏源电压 器件损坏 数值区间 有效地 串扰 关断 预设 震荡 输出 安全 | ||
【主权项】:
1.一种碳化硅场效应管的栅极关断控制方法,其特征在于,包括:获取所述碳化硅场效应管的寄生参数;根据所述寄生参数判断所述碳化硅场效应管的过冲电压与栅极关断电压的单调关系;根据所述单调关系确定所述栅极关断电压在预设数值区间内的最佳取值,所述栅极关断电压在所述最佳取值处令所述过冲电压取得区间最小值;输出大小为所述最佳取值的栅极关断电压至所述碳化硅场效应管的栅极,以便关断所述碳化硅场效应管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湖南德雅坤创科技有限公司,未经湖南德雅坤创科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910299725.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于驱动晶体管器件的方法和电子电路
- 下一篇:电阻电路结构