[发明专利]电子束流能量密度分布测量系统及方法有效
申请号: | 201910300519.4 | 申请日: | 2019-04-15 |
公开(公告)号: | CN110031886B | 公开(公告)日: | 2020-08-14 |
发明(设计)人: | 林峰;赵德陈;张磊;郭超;马旭龙 | 申请(专利权)人: | 清华大学;天津清研智束科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/29 | 分类号: | G01T1/29 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 张润 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种电子束流能量密度分布测量系统及方法,其中,该系统包括:电子束发生偏转聚焦装置用于控制电子束的产生、聚焦和偏转;电子束能量密度测量装置用于测量漏过电子束能量密度测量装置顶部直角缺口的电子束流强度,并记录电子束的偏转信号;控制器用于控制电子束发生偏转聚焦装置产生、聚焦和偏转电子束,同时控制电子束能量密度测量装置采集电子束强度信号和记录电子束偏转信号;数据处理装置用于将电子束流强度信号根据电子束偏转信号构建成二维数据矩阵,以采用二阶微分方法计算获得电子束能量密度分布。该系统简化测量装置的加工,无需假定电子束能量密度圆周对称,也可以准确测量不规则的电子束流能量密度分布。 | ||
搜索关键词: | 电子束 能量 密度 分布 测量 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电子束流能量密度分布测量系统,其特征在于,包括:电子束发生偏转聚焦装置,所述电子束发生偏转聚焦装置用于控制电子束的产生、聚焦和偏转;电子束能量密度测量装置,所述电子束能量密度测量装置包含直角缺口,用于采集所述电子束发生偏转聚焦装置产生的电子束漏过所述直角缺口的电子束流强度,同时记录电子束的偏转信号;控制器,所述控制器用于控制所述电子束发生偏转聚焦装置产生、聚焦和偏转电子束,同时控制所述电子束能量密度测量装置采集所述电子束流强度和记录电子束偏转信号;以及数据处理装置,所述数据处理装置用于将所述电子束流强度信号根据电子束偏转信号构建成二维数据矩阵,以采用二阶微分方法计算获得电子束能量密度分布。
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