[发明专利]一种高深宽比倒锥型结构制造方法

摘要

本发明公开了一种高深宽比倒锥型结构制造方法，包括以下步骤：将需要刻蚀的锥型结构设置i个不同宽度的形状结构进行叠加而成，由外向内所述不同宽度的形状结构的宽度逐渐减小，深度逐渐增加；设置宽度最小的形状结构的宽度为b，设置相邻的两个形状结构的宽度之差为c，设置每个形状结构的深度为h；设置离子束类型，离子束的电压、离子束的电流；在聚焦离子束发射场扫描电子显微镜上绘制出需要刻蚀的锥型结构的离子束图形，采用连续刻蚀方法，一步完成对靶材进行刻蚀。本发明利用离子束加工过程的反沉积效应制造倒锥形结构，通过绘制离子束图形控制刻蚀结构，在绘制好离子束图形后，利用离子束一步刻蚀完成，工艺简单。

主权项

1.一种高深宽比倒锥型结构制造方法，其特征在于：所述制造方法包括以下步骤：S1：采用分层刻蚀方法，将需要刻蚀的锥型结构设置i个不同宽度的形状结构进行叠加而成，由外向内所述不同宽度的形状结构的宽度逐渐减小，深度逐渐增加，在聚焦离子束发射场扫描电子显微镜上绘制出需要刻蚀的锥型结构的离子束图形，对应的分解成i个不同宽度的分解图形；S2：设置宽度最小的形状结构的宽度为b，设置相邻的两个形状结构的宽度之差为c，设置每个形状结构的深度为h，则宽度最大的形状结构的宽度为b+2(i‑1)c，i个不同宽度的形状结构总深度为ih，对应在聚焦离子束发射场扫描电子显微镜上设置分解图形的参数；S3：设置聚焦离子束发射场扫描电子显微镜的离子束类型，离子束的电压、离子束的电流；S4：利用聚焦离子束发射场扫描电子显微镜发射出来的离子束轰击靶材，采用连续刻蚀方法，进行一步完成对靶材的刻蚀。